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onsemi NTD5802NT4G
| Artikelnummer: | NTD5802NT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi NTD5802NT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTD5802NT4G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse DPAK Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5025 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.4A (Ta), 101A (Tc) Grundproduktnummer NTD5802 NTD5802NT4G Einzelheiten PDF [English] NTD5802NT4G PDF - EN.pdf -
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